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BSC026N08NS5ATMA1 +BOM

80V 100A SuperSO package

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BSC026N08NS5ATMA1
Scheda dati:

BSC026N08NS5ATMA1 Scheda dati (PDF)
FunctionalPacking:

TAPE & REEL
AddProductInfo:

RoHS compliant, non dry
Msl:

1
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelli:

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BSC026N08NS5ATMA1 Descrizione generale

Designed by Infineon, the BSC026N08NS5ATMA1 MOSFET is a reliable and durable option for a wide range of applications. Its N-Channel configuration provides for efficient power handling capabilities, with a drain source voltage of 80V and a continuous drain current rating of 100A. The surface mount design allows for easy installation and secure placement on your PCB. The Rds(On) test voltage of 10V ensures low resistance during operation, while the gate source threshold voltage max of 3V provides precise control over the MOSFET's switching behavior. And with its RoHS compliance, you can rest assured that this MOSFET meets international standards for environmental sustainability

Caratteristiche principali

High-speed switching capability
Low conduction loss and high efficiency
Compact TO-220 package design
Faster switching times and reduced losses
Suitable for power factor correction
Pulse-width modulated DC/DC conversion

Applicazione

Wireless communication systems
High-speed data transmission
Home automation products

Specifiche

functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	RoHS compliant, non dry
msl	1	halogenFree	yes
customerInfo	STANDARD	fgr	V76
productClassification	ASP	productStatusInfo	active and preferred
hfgr	A	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP001154276
opn	BSC026N08NS5ATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP001154276

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