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BSC026N02KSGAUMA1 +BOM

N-Channel Power MOSFET with 20V Voltage Rating and 25A Current Rating

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BSC026N02KSGAUMA1
Scheda dati:

BSC026N02KSGAUMA1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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BSC026N02KSGAUMA1 Descrizione generale

N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	100 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	700 mV
Qg - Gate Charge	52.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	78 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	OptiMOS
Series	OptiMOS 2	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Forward Transconductance - Min	95 S
Height	1.27 mm	Length	5.9 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	MOSFET
Rise Time	115 ns	Factory Pack Quantity	5000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	52 ns	Typical Turn-On Delay Time	21 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	BSC026N02KS G SP000379664
Unit Weight	0.070548 oz

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