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Vedi Specifiche Tecniche

BSC022N04LS6 +BOM

High-reliability device with excellent thermal management and radiation hardnes

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BSC022N04LS6
Scheda dati:

BSC022N04LS6 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

85 mJ
EDA/CAD Modelli:

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BSC022N04LS6 Descrizione generale

- The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family, with product code BSC022N04LS6, offers outstanding performance for a wide range of applications. Specifically designed for use in synchronous rectification in SMPS, this MOSFET is perfect for servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers, and ORing circuits. With significant improvements in on-state resistance and figure of merits, this MOSFET allows designers to achieve higher efficiency levels. This, in turn, facilitates easier thermal design and reduces the need for paralleling, ultimately leading to cost savings for the system

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	85 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	40 V	Drain Current-Max (ID)	139 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0032 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	20 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-F8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	79 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	556 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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