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BSC016N06NS +BOM

Advanced N-channel MOSFET design for robust performance

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

BSC016N06NS
Scheda dati:

BSC016N06NS Scheda dati (PDF)
IDpuls Max:

900.0 A
Ptot Max:

139.0 W
VDS Max:

60.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelli:

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BSC016N06NS Descrizione generale

The BSC016N06NS is a robust Power Field-Effect Transistor, capable of handling a maximum continuous drain current of 30A and a voltage of 60V. With a low on-resistance of 0.0016ohm, this N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET is designed for high performance applications that require efficient power management. The device features a single element design and is housed in a GREEN PLASTIC package with a TDSON-8FL configuration, providing easy installation with its 8-pin structure

Specifiche

IDpuls max	900.0 A	Ptot max	139.0 W
VDS max	60.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	1.6 mΩ	ID max	225.0 A
VGS(th) max	3.3 V	VGS(th) min	2.1 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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