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BSC011N03LSI +BOM

The BSC011N03LSI MOSFET

BSC011N03LSI Descrizione generale

N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Specifiche

Source Content uid BSC011N03LSI Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 8
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas) 100 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 37 A Drain-source On Resistance-Max 0.0015 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 96 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Series OptiMOS™ FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number BSC011

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