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Vedi Specifiche Tecniche

BF994S,215 +BOM

N-Channel Dual-Gate MOSFET - BF994S,215

Produttore:

Nxp
ProduttorePart #:

BF994S,215
Scheda dati:

BF994S,215 Scheda dati (PDF)
OrderingCode:

933754970215
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false
LAST_BUY_DTE:

Jan 30, 2018
LAST_DELIVERY_DTE:

Jul 30, 2018
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

BF994S,215 Descrizione generale

Whether you're in the telecommunications, broadcast, aerospace, or defense industry, the BF994S,215 is the go-to choice for high-frequency applications. Its exceptional performance, reliable operation, and compliance with the European Union's Restriction of Hazardous Substances directive make it a preferred option for designers and engineers looking to push the boundaries of technology. Trust NXP Semiconductors' BF994S,215 to deliver cutting-edge solutions for your high-frequency circuit requirements

Caratteristiche principali

The BF994S,215 is a N-channel dual-gate MOS-FET transistor designed for RF amplifier and mixer applications

It features low noise figure, high gain, and high linearity

Operating in the frequency range of 1

8 GHz to 2

7 GHz, it is suitable for various wireless communication systems such as cellular and Wi-Fi

Applicazione

Cellular network amplifier
Low noise in medical devices
Ideal for satellite communication

Specifiche

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LAST_BUY_DTE	Jan 30, 2018	salesNum	BF994S,215
LAST_DELIVERY_DTE	Jul 30, 2018	pack_type	REEL
price_flg	Y	pack_desc	Reel 7" Q3/T4
minPackQty	3000	status	No Longer Manufactured

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..