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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 +BOM

RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount PG-TSLP-3

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Scheda dati:

BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Scheda dati (PDF)
Serie: BFR840L3RHESD
Transistor Type:

NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

2.6V
Frequency - Transition:

75GHz
EDA/CAD Modelli:

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Information

Descrizione generale

RF Transistor NPN 2.6V 35mA 75GHz 75mW Surface Mount PG-TSLP-3

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5kV HBM ESD hardness
High transition frequency = 0.65 dB at 5.5 GHz, 1.1 dB at 12 GHz, 1.8 V, 10 mA
High gain>>
Ideal for low voltage applications e.g.>
Low profile and small form factor leadless package

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar RF Transistors	Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	2.6V	Frequency - Transition	75GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	0.5dB @ 450MHz	Gain	27dB
Power - Max	75mW	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	150 @ 10mA, 1.8V
Current - Collector (Ic) (Max)	35mA	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BFR840
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Package/Case	TSLP-3

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