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BC856BS +BOM

NXP Semiconductors

BC856BS Descrizione generale

PNP/PNP general-purpose transistor pair in a very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Caratteristiche principali

  • Low collector capacitance
  • Low collector-emitter saturation voltage
  • Closely matched current gain
  • Reduces number of components and board space
  • No mutual interference between the transistors
  • AEC-Q101 qualified

Applicazione

  • General-purpose switching and amplification

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code
Collector Current-Max (IC) 0.1 A Collector-Emitter Voltage-Max 65 V
DC Current Gain-Min (hFE) 200 Polarity/Channel Type PNP

Politiche di servizio e altro

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