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BCR523E6327HTSA1 +BOM

Silicon Digital Transistor - Pre-Biased NPN Bipolar Transistors

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BCR523E6327HTSA1
Scheda dati:

BCR523E6327HTSA1 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max):

500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50 V
Resistor - Base (R1):

1 kOhms
EDA/CAD Modelli:

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BCR523E6327HTSA1 Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Switching circuit, inverter circuit, driver circuit
Built in bias resistor>
BCR523U: Two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single, Pre-Biased Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequency - Transition	100 MHz	Power - Max	330 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BCR523
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Qualification	AEC-Q101
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Part # Aliases	BCR 523 E6327 SP000010851	Unit Weight	0.000282 oz

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