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BC847BVN,115 +BOM

With a current gain of 200 at 2mA and a maximum collector current of 100mA at 5V

Produttore:

Nexperia USA Inc.
ProduttorePart #:

BC847BVN,115
Scheda dati:

BC847BVN,115 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 5mA, 100mA

BC847BVN,115 Descrizione generale

NPN/PNP transistor in a SOT666 ultra small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Caratteristiche principali

Merges two devices
Simplifies PCB design
Increases manufacturing efficiency

Applicazione

Motor control applications
High temperature operation

Specifiche

Transistor Type	NPN, PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BC847

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