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BC807-25 +BOM

High-performance silicon-based device for general-purpose applications

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

BC807-25
Scheda dati:

BC807-25 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelli:

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BC807-25 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

Microcontroller applications
LED driver circuits
Power amplifier designs
Audio frequency modulation
Wireless communication systems

Applicazione

Low power audio amplification
Switching applications
Low power transistors

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	310 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BC807
Continuous Collector Current	500 mA	Height	1 mm
Length	3.05 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.4 mm	Unit Weight	0.000282 oz

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