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IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SP1
SP1Produttore:
ProduttorePart #:
APTGT75A60T1G
Scheda dati:
Feature-channel-type:
N
Feature-configuration:
Dual
Feature-maximum-gate-emitter-voltage-v:
±20
Feature-maximum-collector-emitter-voltage-v:
600
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IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600 V 100 A 250 W Chassis Mount SP1
feature-technology | feature-channel-type | N | |
feature-configuration | Dual | feature-maximum-gate-emitter-voltage-v | ±20 |
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 600 | feature-maximum-continuous-collector-current-a | 100 |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 250 | feature-packaging | Tube |
feature-pin-count | 12 | feature-cecc-qualified | No |
feature-esd-protection | feature-military | No | |
feature-aec-qualified | No | feature-auto-motive | No |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $154,764 | $154,76 |
200+ | $61,752 | $12.350,40 |
500+ | $59,689 | $29.844,50 |
1000+ | $58,669 | $58.669,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
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100+ $0,928
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1000+ $0,646
2N2219
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Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
2N1711
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With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals