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APTGLQ100A65T1G +BOM

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650 V 200 A 350 W Through Hole SP1

Produttore:

Microchip Technology, Inc
ProduttorePart #:

APTGLQ100A65T1G
Scheda dati:

APTGLQ100A65T1G Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

200 A

APTGLQ100A65T1G Descrizione generale

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650 V 200 A 350 W Through Hole SP1

Microchip Technology, Inc Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V	Current - Collector (Ic) (Max)	200 A
Power - Max	350 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)	100 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	6 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	APTGLQ100	feature-technology
feature-channel-type	N	feature-configuration	Dual
feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±20	feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	650
feature-maximum-continuous-collector-current-a	135	feature-maximum-power-dissipation-mw	350
feature-packaging	Tube	feature-pin-count
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc-exceeds-threshold	No

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