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APT150GN120J +BOM

1200V Field Stop IGBT.

Produttore:

Microchip Technology, Inc
ProduttorePart #:

APT150GN120J
Scheda dati:

APT150GN120J Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

215 A
EDA/CAD Modelli:

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APT150GN120J Descrizione generale

The APT150GN120J is a part of Microchip's IGBT-FIELDSTOP-1200V family, which offers ultra low VCE(ON) and is designed to meet the requirements of high-voltage and high-power applications. In addition to the APT150GN120J, Microchip's IGBT product range includes six product series that utilize Non-Punch-Through (NPT), Punch-Through (PT), and field stop technologies, catering to a wide range of power supply needs

Caratteristiche principali

Microchip Technology, Inc Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	215 A
Power - Max	625 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 150A
Current - Collector Cutoff (Max)	100 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	9.5 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	APT150	Product Type	Discrete IGBT
Power Dissipation (W) [max]	195 - 960	Collector Current (dc) (A) [max]	22 - 100
feature-technology	Field Stop\|Trench	feature-channel-type	N
feature-configuration	Single Dual Emitter	feature-maximum-gate-emitter-voltage-v	±30
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	1200	feature-maximum-continuous-collector-current-a	215
feature-maximum-power-dissipation-mw	625	feature-packaging	Tube
feature-pin-count	4	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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