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ALD212902PAL +BOM

MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Produttore:

Advanced Linear Devices
ProduttorePart #:

ALD212902PAL
Scheda dati:

ALD212902PAL Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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ALD212902PAL Descrizione generale

Mosfet Array 10.6V 80mA 500mW Through Hole 8-PDIP

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	10 V
Id - Continuous Drain Current	79 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	14 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	180 mV
Qg - Gate Charge	-	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 70 C	Pd - Power Dissipation	500 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	EPAD
Series	ALD212902P	Configuration	Dual
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Unit Weight	0.032805 oz

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