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ALD1106PBL +BOM

Four-terminal MOSFET with 10.6V voltage and 14DIP package

Produttore:

Advanced Linear Devices Inc.
ProduttorePart #:

ALD1106PBL
Scheda dati:

ALD1106PBL Scheda dati (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

4 N-Channel, Matched Pair
Drain To Source Voltage (Vdss):

10.6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:

500Ohm @ 5V
EDA/CAD Modelli:

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ALD1106PBL Descrizione generale

Mosfet Array 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP

Caratteristiche principali

Low threshold voltage of 0.7V
Low input capacitance
Low Vos 2mV typical
High input impedance -- 1014Ω typical
Negative current (IDS) temperature coefficient
Enhancement-mode (normally off)
DC current gain 109
Low input and output leakage currents
RoHS compliant

Specifiche

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	4 N-Channel, Matched Pair
FET Feature	-	Drain to Source Voltage (Vdss)	10.6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500Ohm @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3pF @ 5V	Power - Max	500mW
Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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