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6MBI50L-120 +BOM

N-channel insulated gate bipolar transistor designed for heavy-duty usage with a maximum current of

Produttore:

Fuji Electric Co Ltd
ProduttorePart #:

6MBI50L-120
Scheda dati:

6MBI50L-120 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

19
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

HIGH SPEED

6MBI50L-120 Descrizione generale

One of the key features of the 6MBI50L-120 module is its low saturation voltage, which helps to minimize power losses and improve overall efficiency. This makes it an excellent choice for applications where energy savings are a priority

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	19
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	HIGH SPEED
Collector Current-Max (IC)	50 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 Code	R-XUFM-X19
Number of Elements	6	Number of Terminals	19
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	400 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Transistor Application	POWER CONTROL	Transistor Element Material	SILICON
VCEsat-Max	3.5 V

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..