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6MBP30XSF060-50 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

6MBP30XSF060-50
Scheda dati:

6MBP30XSF060-50 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

30 A
Collector-Emitter Voltage-Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 6MBP30XSF060-50

Avaq Semiconductor offre il driver 6MBP30XSF060-50 altamente versatile e affidabile, prodotto da FUJITSU. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il 6MBP30XSF060-50.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
Case Connection	ISOLATED	Collector Current-Max (IC)	30 A
Collector-Emitter Voltage-Max	600 V	Configuration	COMPLEX
JESD-30 Code	R-PDSO-T24	Number of Elements	6
Number of Terminals	24	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	56.8 W
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	DUAL	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	1650 ns
Turn-off Time-Nom (toff)	1150 ns	Turn-on Time-Max (ton)	1250 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	850 ns	VCEsat-Max	1.1 V

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