Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N6123 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Produttore:

Central Semiconductor
ProduttorePart #:

2N6123
Scheda dati:

2N6123 Scheda dati (PDF)
Packaging:

Bulk
:

7 at 4 A 2 V
Part-Aliases:

Through Hole
Unit-Weight:

+ 150 C
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N6123

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

2N6123 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 2.5MHz 40 W Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

Collector-base voltage(Vcbo = 80V)
Emitter-base voltage(Vebo = 5V)
Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
96% of customers would recommend to a friend

Applicazione

Industrial

Specifiche

Product Category	RF Transistors (BJT)	Series	2N6123
Packaging	Bulk		7 at 4 A 2 V
Part-Aliases	Through Hole	Unit-Weight	+ 150 C
Mounting-Style	NPN	Pd-Power-Dissipation	80 V
Maximum Operating Temperature	2.5 MHz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..