Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N5875 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor

Produttore:

Microsemi
ProduttorePart #:

2N5875
Scheda dati:

2N5875 Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

-
Tipologia di prodotto:

Single Bipolar Transistors
RoHS:
Ciclo vitale:

Active

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

2N5875 Descrizione generale

The 2N5875 transistor is a versatile component that excels in both amplification and switching applications. With a collector current rating of 500 mA and a power dissipation of 350 mW, it is capable of handling a wide range of tasks while maintaining optimal performance

Specifiche

Product Category	RF Transistors (BJT)	Product-Category	Bipolar Transistors - BJT
	Microsemi

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..