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2N2369 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N2369
Scheda dati:

2N2369 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

15 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

250mV @ 1mA, 10mA
EDA/CAD Modelli:

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2N2369 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 200 mA 360 mW Through Hole TO-18

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	15 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 10mA, 1V
Power - Max	360 mW	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole

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