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ZXTP25100CZTA +BOM

PNP Silicon Transistor designed for Power Applications

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXTP25100CZTA
Scheda dati:

ZXTP25100CZTA Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

225mV @ 100mA, 1A
EDA/CAD Modelli:

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ZXTP25100CZTA Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 1 A 180MHz 2.4 W Surface Mount SOT-89-3

Caratteristiche principali

BVCEO> -100V
BVECO> -7V
IC = -1A Continuous Collector Current
ICM = -3A Peak Collector Current
VCE(SAT) <-225mV @ -1A
RCE(SAT) = 155mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Complementary NPN Type: ZXTN25100DZ
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	225mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 10mA, 2V
Power - Max	2.4 W	Frequency - Transition	180MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTP25100

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