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ZXTP08400BFFTA +BOM

PNP Bipolar Junction Transistor optimized for general-purpose applications, capable of handling up to 400V and 0

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXTP08400BFFTA
Scheda dati:

ZXTP08400BFFTA Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

400 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

190mV @ 40mA, 200mA
EDA/CAD Modelli:

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ZXTP08400BFFTA Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 200 mA 70MHz 1.5 W Surface Mount SOT-23F

Caratteristiche principali

BVCEO> -400V
BVECO> -6V
IC = -0.2A Continuous Collector Current
Low Saturation Voltage VCE(SAT) <-220mV @ -100mA
hFE Min 100 @ -200mA
1.5W Power Dissipation
Complementary NPN Type: ZXTN08400BFF
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	190mV @ 40mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V
Power - Max	1.5 W	Frequency - Transition	70MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTP08400

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