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ZXTN25012EFH +BOM

Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN 12V 6A MED PWR SOT23-3

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXTN25012EFH
Scheda dati:

ZXTN25012EFH Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

12 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

190mV @ 120mA, 6A
EDA/CAD Modelli:

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ZXTN25012EFH Descrizione generale

Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN 12V 6A MED PWR SOT23-3

Caratteristiche principali

High power dissipation SOT23 package
High peak current
Very high gain
Low saturation voltage
6V reverse blocking voltage

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	12 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	190mV @ 120mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	500 @ 10mA, 2V
Power - Max	1.25 W	Frequency - Transition	260MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTN25012

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