Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

ZXTN2031F +BOM

SOT23 NPN transistor with a voltage tolerance of 50V and current capacity of 5A

Produttore:

diodes incorporated
ProduttorePart #:

ZXTN2031F
Scheda dati:

ZXTN2031F Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per ZXTN2031F

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

ZXTN2031F Descrizione generale

DescriptionAdvanced process capability and package design have been used to maximize the power handling and performance of this small outline transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally suited to applications where space is at a premium.Feature• Higher power dissipation SOT23 Package• High peak current• Low saturation voltage• High gain• 80V forward blocking voltageApplications• MOSFET and IGBT gate driving• Motor drive• Relay, lamp and solenoid drive• DC-DC converters

Caratteristiche principali

BVCEO> 50V
BVCEV> 80V Forward Blocking Voltage
IC = 5A high Continuous Collector Current
ICM = 12A Peak Collector Current
Low Saturation Voltage, VCE(SAT) <40mV @1A
RCE(SAT) = 24mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Complementary PNP Type: ZXTP2025F
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Maximum DC Collector Current	5 A
Pd - Power Dissipation	1.56 W	Gain Bandwidth Product fT	125 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	190	Height	1 mm
Length	3.05 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.4 mm	Unit Weight	0.000282 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..