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ZXMP10A18GTA +BOM

The ZXMP10A18GTA is a P-Channel Metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) designed for power applications

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXMP10A18GTA
Scheda dati:

ZXMP10A18GTA Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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ZXMP10A18GTA Descrizione generale

P-Channel 100 V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Caratteristiche principali

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT223 package

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	26.9 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	3.9 W	Channel Mode	Enhancement
Series	ZXMP10A	Configuration	Single
Fall Time	17.9 ns	Forward Transconductance - Min	6 S
Height	1.65 mm	Length	6.7 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	6.8 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	33.9 ns
Typical Turn-On Delay Time	4.6 ns	Width	3.7 mm
Unit Weight	0.003951 oz

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