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ZXMN6A08E6TA +BOM

MOSFET with N-Channel configuration, designed for applications requiring a voltage tolerance of up to 60V and a current rating of 3

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXMN6A08E6TA
Scheda dati:

ZXMN6A08E6TA Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.8A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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ZXMN6A08E6TA Descrizione generale

N-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Caratteristiche principali

Low On-Resistance
Fast Switching Speed
Low Gate Drive
Low Threshold
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	459 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXMN6

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