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ZXMN10A11GTA +BOM

100V N-channel UMOS MOSFET

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXMN10A11GTA
Scheda dati:

ZXMN10A11GTA Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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ZXMN10A11GTA Descrizione generale

The ZXMN10A11GTA is a robust 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor with a maximum current rating of 2.4A I(D) and an on-state resistance of 0.35ohm. Its N-Channel design and Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET construction make it a high-performance solution for power management, motor control, and other electronic applications where efficiency and reliability are essential. The transistor's 1-Element configuration ensures straightforward integration into various circuit designs, while its high voltage tolerance and low on-state resistance guarantee optimal performance in challenging environments

Caratteristiche principali

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT223 package

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	2.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance	350 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	5.4 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2 W	Channel Mode	Enhancement
Series	ZXMN10A	Configuration	Single
Fall Time	3.5 ns	Forward Transconductance - Min	4 S
Height	1.65 mm	Length	6.7 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	1.7 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	7.4 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.7 ns
Width	3.7 mm	Unit Weight	0.003951 oz

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