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Robust and durable transistor for high-power application
8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)Produttore:
Diodes Incorporated
ProduttorePart #:
ZXMC4559DN8TC
Scheda dati:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
N and P-Channel
FET Feature:
Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):
60V
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The ZXMC4559DN8TC MOSFET is a powerhouse of efficient power conversion technology. Its robust design features a maximum voltage rating of 100V and a maximum continuous drain current of 1.4A, making it ideal for high-demand applications. With an ultra-low on-resistance of 1.5 ohms at 10V gate voltage, this MOSFET delivers exceptional performance, minimizing power losses and maximizing efficiency. The DFN8 package ensures a compact and lightweight footprint, while its low input/output capacitance further enhances overall performance by reducing switching losses
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A, 2.6A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V | Power - Max | 2.1W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | ZXMC4559 |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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