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ZXMC10A816N8 +BOM

minimal gate drive needed for low on-resistance

Produttore:

diodes incorporated
ProduttorePart #:

ZXMC10A816N8
Scheda dati:

ZXMC10A816N8 Scheda dati (PDF)
Pacchetto/custodia:

SO-8
Tipologia di prodotto:

Single FETs, MOSFETs
RoHS:
Ciclo vitale:

Active
EDA/CAD Modelli:

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ZXMC10A816N8 Descrizione generale

The ZXMC10A816N8 MOSFET stands out as a top choice for high efficiency, low voltage, and low power switching applications. With a maximum drain-source voltage rating of -80V and a continuous drain current rating of -1.6A, this MOSFET is well-suited for a diverse range of power management applications. Its low on-resistance of 0.65 ohms at a gate-source voltage of -4.5V ensures efficient power transfer with minimal voltage drop. Additionally, its fast switching speed, with a typical turn-on time of 4.5ns and a turn-off time of 28ns, allows for quick response times in switching applications. Encased in an SOT23-8 package, the ZXMC10A816N8 is compact and user-friendly, making it an excellent choice for space-constrained designs. Furthermore, it operates over a wide temperature range of -55°C to 150°C, guaranteeing dependable performance in various operating conditions. In conclusion, the ZXMC10A816N8 delivers a reliable and efficient solution for power management applications

Applicazione

Automotive body control modules
Industrial control systems
Smart appliances
Home automation
LED lighting control
Motor control applications
Power management systems
Portable devices
Robotics
Sensor modules

Specifiche

Product Category	MOSFET	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..