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ZXM64P02X +BOM

Enhancement Mode P-Channel MOSFET rated at 20V

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZXM64P02X
Scheda dati:

ZXM64P02X Scheda dati (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.5A (Ta)
EDA/CAD Modelli:

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ZXM64P02X Descrizione generale

P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP

Specifiche

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA (Min)	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXM64P02

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