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ZTX601 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 160 V 1 A 250MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZTX601
Scheda dati:

ZTX601 Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

160 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

10 V
EDA/CAD Modelli:

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ZTX601 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 160 V 1 A 250MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Caratteristiche principali

160 Volt VCEO
1 Amp continuous current
Gain of 5K at IC=1 Amp
Ptot= 1 Watt

Specifiche

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V	Collector- Base Voltage VCBO	180 V
Maximum DC Collector Current	1 A	Maximum Collector Cut-off Current	10 nA
Pd - Power Dissipation	1 W	Mounting Style	Through Hole
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	ZTX601	Continuous Collector Current	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	1000 at 50 mA at 10 V, 2000 at 500 mA at 10 V, 1000 at 1 A at 10 V	DC Current Gain hFE Max	1000
Height	4.01 mm	Length	4.77 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Transistors	Width	2.41 mm
Unit Weight	0.016000 oz

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