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UMG2N-TP +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

UMG2N-TP Descrizione generale

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353

Specifiche

Series - Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA Frequency - Transition 250MHz
Power - Max 150mW Mounting Type Surface Mount
Base Product Number UMG2

Politiche di servizio e altro

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