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TSM2N60CP +BOM

2 Amp N-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor rated for 600 Volts

Caratteristiche principali

  • Robust high voltage termination
  • Avalanche energy specified
  • Diode is characterized for use in bridge circuits
  • Source to Drain diode recovery time comparable to a discrete fast recovery diode.

Specifiche

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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