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Dual N-Channel Power MOSFET, 20V, 5.8A MOSFET
6-VDFNExposedPadProduttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
ProduttorePart #:
TSM250N02DCQ RFG
Scheda dati:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
2 N-Channel (Dual)
FET Feature:
Standard
Drain To Source Voltage (Vdss):
20V
EDA/CAD Modelli:
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The TSM250N02DCQ RFG is a cutting-edge Gallium Nitride (GaN) transistor built for demanding high-frequency RF applications. Its impressive power dissipation of 250W and broad frequency range of 0.01 to 4 GHz make it a versatile and powerful solution for a wide range of RF systems. What sets this GaN transistor apart is its compact and lightweight design, making it a perfect fit for applications where space and weight are crucial factors. Not only does it boast high efficiency and low loss characteristics, but it also delivers improved performance and energy savings
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Standard | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Tc) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 775pF @ 10V | Power - Max | 620mW (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | TSM250 |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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