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TSC5802DCHC5G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2.5 A 30 W Through Hole TO-251 (IPAK)

Produttore:

Taiwan Semiconductor Corporation
ProduttorePart #:

TSC5802DCHC5G
Scheda dati:

TSC5802DCHC5G Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

3V @ 600mA, 2A
EDA/CAD Modelli:

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TSC5802DCHC5G Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 2.5 A 30 W Through Hole TO-251 (IPAK)

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	2.5 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 600mA, 2A	Current - Collector Cutoff (Max)	250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 100mA, 5V	Power - Max	30 W
Frequency - Transition	-	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	TSC5802

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