Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

STGWA50IH65DF +BOM

Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 long leads package

Produttore:

ST
ProduttorePart #:

STGWA50IH65DF
Scheda dati:

STGWA50IH65DF Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

COLLECTOR
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per STGWA50IH65DF

STGWA50IH65DF Descrizione generale

Introducing the STGWA50IH65DF, a cutting-edge IGBT with a voltage rating of 650 V. This innovative design utilizes a proprietary trench gate field-stop structure to deliver superior performance in both conduction and switching losses. Specifically engineered for soft commutation, this product includes a high-efficiency freewheeling diode to ensure maximum efficiency in resonant and soft-switching applications

Caratteristiche principali

Designed for soft-commutation only
Maximum junction temperature: T_J = 175 °C
V_CE(sat) = 1.5 V (typ.) @ I_C = 50 A
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Low voltage drop freewheeling co-packaged diode
Positive V_CE(sat) temperature coefficient

Specifiche

Source Content uid	STGWA50IH65DF	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	100 A
Collector-Emitter Voltage-Max	650 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max	7 V	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JEDEC-95 Code	TO-247	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	300 W	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON
Turn-off Time-Nom (toff)	294 ns	VCEsat-Max	2 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..