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IRF640 +BOM

High-power MOSFET for industrial control application

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

IRF640
Scheda dati:

IRF640 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRF640 Descrizione generale

N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	18 A	Rds On - Drain-Source Resistance	180 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	125 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IRF640
Configuration	Single	Fall Time	35 ns
Height	16.3 mm	Length	10.67 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	46 ns	Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Width	4.7 mm	Unit Weight	0.068784 oz

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