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Vedi Specifiche Tecniche

STD8NM50N +BOM

N-channel 500 V, 0.73 Ohm, 5 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK

Produttore:

ST
ProduttorePart #:

STD8NM50N
Scheda dati:

STD8NM50N Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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STD8NM50N Descrizione generale

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.

Caratteristiche principali

100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid	STD8NM50N	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	140 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	5 A
Drain-source On Resistance-Max	0.79 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	45 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	20 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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