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Vedi Specifiche Tecniche

STD15NF10T4 +BOM

N-channel 100 V, 0.06 Ohm typ., 23 A StripFET II Power MOSFET in a DPAK package

Produttore:

ST
ProduttorePart #:

STD15NF10T4
Scheda dati:

STD15NF10T4 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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STD15NF10T4 Descrizione generale

The STD15NF10T4 Power MOSFET is a cutting-edge product developed using STMicroelectronics' specialized STripFET™ process. This process is designed to reduce input capacitance and gate charge, making the device ideal for use as a primary switch in advanced isolated DC-DC converters for telecom and computer applications. Additionally, its low gate charge driving requirements make it suitable for a range of applications

Caratteristiche principali

Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid	STD15NF10T4	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Avalanche Energy Rating (Eas)	75 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	15 A	Drain-source On Resistance-Max	0.08 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	70 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	60 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

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