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STD150N3LLH6 +BOM

STripFET VI DeepGATE N-channel transistor for robust control

Produttore:

ST
ProduttorePart #:

STD150N3LLH6
Scheda dati:

STD150N3LLH6 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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STD150N3LLH6 Descrizione generale

N-Channel 30 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Source Content uid	STD150N3LLH6	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	525 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	80 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0045 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	110 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	320 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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