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SQJ431EP-T1_GE3 +BOM
200V Trans MOSFET P-CH device for precise control
PowerPAK-SO-8L-4-
Produttore:
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ProduttorePart #:
SQJ431EP-T1_GE3
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Scheda dati:
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Part Life Cycle Code:
Not Recommended
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Reach Compliance Code:
compliant
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ECCN Code:
EAR99
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Factory Lead Time:
26 Weeks, 4 Days
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EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 5390 PZ
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SQJ431EP-T1_GE3 Descrizione generale
The SQJ431EP-T1_GE3 P-channel MOSFET is designed to meet the exacting standards of modern electronics. Its -200V drain-source voltage rating ensures efficient switching and control of high-voltage loads, while its -12A continuous drain current capability makes it suitable for a wide range of load currents. The transistor's on-resistance Rds(on) of 0.178ohm and threshold voltage Vgs of -3V enable precise control over the MOSFET's operation. Additionally, the RoHS compliance of this product ensures that it meets environmental safety standards. With its AEC-Q101 certification, this component is suitable for use in automotive and industrial applications
Specifiche
Part Life Cycle Code | Not Recommended | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 26 Weeks, 4 Days |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 80 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
Drain Current-Max (ID) | 12 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.221 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G4 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40 A |
Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Element Material | SILICON |
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In Stock: 5.390
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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