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Vedi Specifiche Tecniche

SQ2362ES-T1_GE3 +BOM

N-channel silicon FET

Produttore:

Vishay
ProduttorePart #:

SQ2362ES-T1_GE3
Scheda dati:

SQ2362ES-T1_GE3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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SQ2362ES-T1_GE3 Descrizione generale

With a single-element configuration, the SQ2362ES-T1_GE3 offers simplified circuit layouts and efficient power distribution, making it ideal for space-constrained automotive applications. Whether used in engine control modules, lighting systems, or power steering units, this transistor provides consistent performance and protection against overcurrent and overtemperature conditions

Caratteristiche principali

High-temperature rated
Fully protected gate source
Automotive-grade reliable
Dual N-channel MOSFET
ESD protection built-in
Low drain-source on-resistance

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	4.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	68 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	7.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	3 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	TrenchFET	Series	SQ
Configuration	Single	Fall Time	18 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	20 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	14 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns	Part # Aliases	SQ2362ES-T1_BE3
Unit Weight	0.000282 oz

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