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SQ2309ES-T1-GE3 +BOM

P-CHANNEL-FET 1,7A 60V SOT23 RoHSconf

Produttore:

VISHAY
ProduttorePart #:

SQ2309ES-T1-GE3
Scheda dati:

SQ2309ES-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per SQ2309ES-T1-GE3

Caratteristiche principali

Advanced process technology used
Robust and compact design
Excellent thermal performance

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-236
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Qualification	AEC-Q101	Tradename	TrenchFET
Series	SQ	Height	1.45 mm
Length	2.9 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Width	1.6 mm	Unit Weight	0.000282 oz

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..