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Power Bipolar Transistor with 8A I(C) and 60V V(BR)CEO
12-SIP Exposed TabProduttore:
Sanken Electric Usa Inc.
ProduttorePart #:
SLA6024
Scheda dati:
Transistor Type:
3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)
Current - Collector (Ic) (Max):
8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
1.5V @ 10mA, 5A
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Bipolar (BJT) Transistor Array 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) 60V 8A 50MHz 5W Through Hole 12-SIP
Transistor Type | 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) | Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 10mA, 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 5A, 4V |
Power - Max | 5W | Frequency - Transition | 50MHz |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | SLA60 |
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