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SKP06N60 +BOM

SKP06N60: N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor capable of handling currents up to 12A and voltages up to 600V

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

SKP06N60
Scheda dati:

SKP06N60 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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SKP06N60 Descrizione generale

Featuring a low on-resistance of 0.8 ohms, the SKP06N60 is engineered for efficient power handling and minimal power losses. This attribute makes it an ideal choice for high-power switching circuits, motor control, power supplies, and inverters. These low-loss properties enhance the overall performance and reliability of the transistor in various high-power applications

Caratteristiche principali

Powerful and flexible filtering
Real-time feedback control
Advanced thermal management
High-density storage technology

Applicazione

Power supplies
Motor control

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKP06N60	Continuous Collector Current Ic Max	12 A
Height	9.25 mm	Length	10 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	IGBTs	Width	4.4 mm
Part # Aliases	SP000683140 SKP06N60XK SKP06N60XKSA1	Unit Weight	0.211644 oz

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