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SKW07N120 +BOM

125W Insulated Gate Bipolar Transistor with Non-Punch Through Technology

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

SKW07N120
Scheda dati:

SKW07N120 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelli:

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SKW07N120 Descrizione generale

The unparalleled combination of a fast switching speed and low gate charge in the SKW07N120 power MOSFET transistor enables high-frequency operation and reduces switching losses, effectively enhancing the efficiency and performance of the applications it serves. Housed in a TO-247 package, the transistor also offers excellent thermal conductivity for effective heat dissipation, ensuring optimal operating temperatures and increased reliability

Caratteristiche principali

Suitable for high-frequency applications
Low VCE(sat) for high efficiency
Easy installation with a single screw
Improved thermal management

Applicazione

Energy solutions
Power control
Heating systems

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKW07N120	Continuous Collector Current Ic Max	16.5 A
Height	20.95 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SKW07N120XK SP000012569 SKW07N120FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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Valutazioni e recensioni

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R**d 11/21/2023

I was surprised Ankara TURKEY arrived in 9 days. It reached very fast. Thank you to seller or. Hope it works smoothly.

M**r 10/12/2021

Easy communication. Very good support\nThank you

L**m 09/21/2021

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B**n 09/12/2021

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