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RUF025N02FRATL +BOM

N-Channel Transistor for Surface Mount Applications with 20V and 2.5A rating

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RUF025N02FRATL
Scheda dati:

RUF025N02FRATL Scheda dati (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelli:

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RUF025N02FRATL Descrizione generale

N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3

Caratteristiche principali

It is an N-channel MOSFET with a voltage rating of 25V and a current rating of 6.5A.
It has a low on-resistance of 2.5mΩ, which allows for efficient power handling and minimal power dissipation.
It is designed for use in power management applications, where it can be used to switch high-current loads with minimal losses.

Applicazione

DC-DC converters
Power management in portable devices
Motor control
LED lighting

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±10V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	370 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	800mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RUF025

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