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Vedi Specifiche Tecniche

RU1L002SNTL +BOM

N-channel MOSFET with 2.5V drive

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

RU1L002SNTL
Scheda dati:

RU1L002SNTL Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

53 Weeks, 1 Day
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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RU1L002SNTL Descrizione generale

The development of MOSFETs with ultra-low ON-resistance utilizing advanced micro-processing technologies has significantly enhanced the efficiency of mobile equipment with low power consumption requirements. These MOSFETs come in a variety of configurations, including compact, high-power, and complex types, to address the diverse demands of the market. This innovation has opened up new possibilities for improved performance and energy savings in a multitude of electronic devices, offering users a reliable and high-performing solution for their needs

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	0.25 A	Drain-source On Resistance-Max	3.2 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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