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RFP40N10 +BOM

100V Voltage-rated N-channel Silicon Transistor in TO-220AB Package, Capable of Handling 40A Current

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

RFP40N10
Scheda dati:

RFP40N10 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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RFP40N10 Descrizione generale

Renesas Electronics' RFP40N10 MOSFET transistor is a cutting-edge solution for demanding power applications. Its high voltage and current ratings, combined with its low on-resistance and fast switching speed, make it a versatile and reliable choice for a wide range of electronic systems. The TO-220 package ensures efficient heat dissipation, extending the lifespan of the transistor and improving overall system performance. Engineers and designers can trust the RFP40N10 to deliver consistent and efficient power management in a compact and cost-effective package

Caratteristiche principali

Fast switching and low power consumption
Efficient power management for high-speed apps
Suitable for data communication devices

Operating temperature range: -55°C to 125°C
Rugged design with ESD protection
Fully compliant with RoHS and REACH regulations

Applicazione

Switching supplies
Power management
Battery charging

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	40 A	Rds On - Drain-Source Resistance	40 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	16 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	20 ns	Height	16.3 mm
Length	10.67 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	30 ns	Factory Pack Quantity	400
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	42 ns
Typical Turn-On Delay Time	17 ns	Width	4.7 mm
Part # Aliases	RFP40N10_NL	Unit Weight	0.068784 oz

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